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BUSINESS WIRE: Transphorm ergänzt sein Produktsortiment der dritten Generation durch zwei zusätzliche GaN-FETs

| Quelle: Business_Wire | Lesedauer etwa 3 min. | Text vorlesen Stop Pause Fortsetzen

MITTEILUNG UEBERMITTELT VON BUSINESS WIRE. FUER DEN INHALT IST ALLEIN DAS BERICHTENDE UNTERNEHMEN VERANTWORTLICH.

Neue oberflächenmontierte Geräte begegnen dem wachsenden Interesse an Hochspannungs-GaN-Funktionalität für ein breites Anwendungsspektrum

GOLETA, Kalifornien (BUSINESS WIRE) 11.09.2019

Transphorm Inc., der Marktführer für die Gestaltung und Fertigung der zuverlässigsten Hochspannungs-Galliumnitrid-Halbleiter (High Voltage (HV) Gallium Nitride (GaN)), kündigte heute seine ersten PQFN88-Transistoren der dritten Generation an. Die neuen 650 V-Geräte sind in zwei Ausfertigungen verfügbar, das TP65H070LSG (Source-Tab) und das TP65H070LDG (Drain-Tab) und bieten einen On-Widerstand von 72 Milliohm.

Bewährte Zuverlässigkeit der Plattform der dritten Generation wird erweitert

Die im Juni 2018 auf den Markt gekommenen Transphorm-Geräte der dritten Generation wurden als die zuverlässigsten und hochwertigsten [Q+R] GaN-FETs eingeführt, die es auf dem Markt gibt. Sie paaren einen maßgeschneiderten Niedervolt-MOSFET mit GaN-FET, um Folgendes zu bieten:

  • geräuschärmeres Umschalten
  • stärkere Leistung bei erhöhter Stromstärke mit minimaler externer Schaltung
  • erhöhte Störfestigkeit (Schwellenspannung von 4 V)
  • erhöhte Gate-Robustheit (etwa 20 V)

Die PQFN88 Drain- und Source-Pakete der dritten Generation umfassen breitere Kontakte für eine höhere Platinenzuverlässigkeit (Board-Level Reliability, BLR), was die Zuverlässigkeit mehrschichtiger Leiterplatinen-Designs (Printed Circuit Board, PCB) verbessert. Die Konfigurationsmöglichkeiten von Drain- und Source-Tab werden sowohl High- als auch Low-Side-Schalter-Standorten gerecht. Dadurch wird eine bessere Strahlungsimmunität geboten, da das große Pad an den ungeschalteten Knotenpunkt gelötet ist. Darüber hinaus ermöglicht die Erweiterung der TO-XXX FETs der dritten Generation durch die PQFN88-Geräte Ingenieuren, GaN-basierte oberflächenmontierte Anwendungen mithilfe der aktuellen Technologie von Transphorm zu untersuchen.

„Unser Fokus liegt weiterhin auf der Steigerung der GaN-FET-Zuverlässigkeit, während gleichzeitig höhere Leistungsdichte geboten wird“, so Philip Zuk, Vizepräsident für internationales technisches Marketing und nordamerikanischen Vertrieb bei Transphorm. „Mit zunehmendem Interesse des Marktes an Hochspannungs-GaN-Technologie möchten wir unseren Kunden auch Geräteoptionen zur Verfügung stellen, die zu jeder möglichen Anwendungen passen. In diesem Sinne ermöglicht uns die Einführung von 72 Milliohm PQFN88 Source- und Drain-Geräten, alle drei Zielsetzungen zu erfüllen, indem wir unsere aktuelle Produktfamilie ausbauen.“

Die Übernahmerate von Hochspannungs-GaN-Leistungselektronik steigt stetig. Tatsächlich hat Transphorm mehrere Kunden mit diversen Endprodukten angekündigt [z. B.: Server- und industrielle Netzgeräte, Gaming PC-Zubehör, tragbare Solargeneratoren und mehr], die das Leistungsversprechen der Technologie illustrieren.

Verfügbarkeit, Preis und Support

Die 650 V TP65H070LSG und TP65H070LDG (72 mΩ) FETs sind aktuell für 7,47 USD pro 1000 Stück erhältlich. Die Begleitdokumentation für die Konstruktion umfasst:

  • Datenblatt für die TP65H070L-Serie
  • Spice-Modell für die TP65H070L-Serie
  • 1,2 kW Halbbrücken-Abwärts-/Aufwärts-Evaluationskit [TDHBG1200DC100-KIT]
  • TP65H070L Halbbrücken-Tochterkarte [TDHB-65H070-DC]
  • Empfohlene externe Schaltung für Transphorm GaN-FETs Anwendungshinweise

Zusätzliche Anwendungshinweise und Design-Leitlinien befinden sich auf den Geräte-Produktseiten: TP65H070LSG und TP65H070LDG.

Über Transphorm

Transphorm konstruiert und fertigt 650-V- und 900-V-GaN-Halbleiter mit höchster Leistung und Zuverlässigkeit für Stromwandlungsanwendungen mit Hochspannung. Transphorm verfügt über das größte IP-Portfolio (mehr als 1000 erteilte und angemeldete Patente) und produziert die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten GaN-FETs.

Die Ausgangssprache, in der der Originaltext veröffentlicht wird, ist die offizielle und autorisierte Version. Übersetzungen werden zur besseren Verständigung mitgeliefert. Nur die Sprachversion, die im Original veröffentlicht wurde, ist rechtsgültig. Gleichen Sie deshalb Übersetzungen mit der originalen Sprachversion der Veröffentlichung ab.

Heather Ailara
211 Communications
Tel.: +1 973 567 6040
heather@211comms.com

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