AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit Hyperion 300 mm Anlage bei

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EQS-Media / 07.10.2025 / 07:30 CET/CEST

AIXTRON tritt 300-mm-GaN-Forschungsprogramm mit Hyperion 300 mm Anlage bei

Herzogenrath, 7. Oktober 2025 - AIXTRON SE (FSE: AIXA) beteiligt sich als
einer der ersten Partner mit seinem Hyperion GaN-MOCVD-System an einem
300-mm-GaN-Programm für Leistungselektronik. Das Hyperion-System wird
genutzt, um 300 mm Epitaxiewafer für das Programm und dessen Partner
bereitzustellen und damit die Entwicklung von Nieder- und
Hochspannungs-Leistungselektronikanwendungen zu unterstützen - beispielsweise
On-Board-Charger und DC/DC-Wandler für Elektrofahrzeuge, Wechselrichter für
Solaranlagen sowie Stromverteilungssysteme für AI-Rechenzentren.

Imec, das renommierte Halbleiter-Forschungsinstitut mit Sitz in Leuven
(Belgien), hat sein GaN-Power-Programm, das bisher auf 200 mm Wafern
basiert, um ein neues 300 mm Programm erweitert, um GaN-Epitaxiewachstum und
Prozessabläufe für nieder- und hochvoltige
GaN-High-Electron-Mobility-Transistors (HEMT) zu entwickeln. Der Einsatz von
300 mm Substraten wird nicht nur die Herstellungskosten für GaN-Bauelemente
senken, sondern auch die Entwicklung fortschrittlicherer
Leistungselektronikbausteine ermöglichen - etwa hocheffiziente
Niederspannungs-Point-of-Load-Wandler für CPUs und GPUs. AIXTRON unterstützt
dieses neue Programm mit seinem Hyperion 300 mm GaN-MOCVD-System in imecs
hochmodernem Reinraum in Leuven. Das System wird Epitaxiewafer für das
Programm und dessen Partner liefern, um die Entwicklung von Nieder- und
Hochvolt-Leistungselektronikanwendungen voranzutreiben.

"Wir sind sehr stolz, erneut mit imec zusammenzuarbeiten, um die Entwicklung
im Bereich GaN-Power voranzutreiben. Dank der In-Situ-Reinigungsfunktionen
ist unsere Hyperion 300 mm GaN-MOCVD-Plattform bislang die einzige
vollautomatisierte Plattform. Sie ermöglicht es unseren Kunden, 300 mm
GaN-Epitaxie nahtlos in ihre Silizium-Reinräume zu integrieren", sagt Dr.
Felix Grawert, CEO der AIXTRON SE, und ergänzt: "Es war für uns nur
konsequent, die Partnerschaft mit imec im Bereich 300 mm GaN fortzusetzen,
um die Einführung der Galliumnitrid-Technologie in immer mehr
siliziumbasierten Anwendungen weiter zu beschleunigen. Die Zusammenarbeit
stellt sicher, dass unsere Kunden direkt auf ihren MOCVD-Systemen von den
neuesten Prozessfortschritten bei imec profitieren."

AIXTRON und imec sind langjährige Partner in mehreren Programmen, in denen
imec sowohl die AIXTRON G5+ C als auch die G10-GaN Anlage in seinem Reinraum
einsetzt, um die Entwicklung von GaN-Power- und HF-Bauelementen für alle
Forschungspartner voranzutreiben. Nachdem seit 2024 bereits an
300-mm-GaN-Power gearbeitet wurde, schafft diese neue Partnerschaft einen
starken gegenseitigen Mehrwert für imec und AIXTRON: Sie beschleunigt die
Verfügbarkeit vorproduktionsreifer Epitaxie-Rezepturen und Prozessabläufe,
die Partner direkt auf ihren AIXTRON-MOCVD-Systemen nutzen können, um mit
ihrer Produktentwicklung zu beginnen.

Ansprechpartner

Christian Ludwig

Vice President Investor Relations & Corporate Communications

fon +49 (2407) 9030-444

e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für
elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von
Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese
Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien
und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und
Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und
-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere
anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),
EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),
PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die
Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe
wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",
"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",
Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese
zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die
gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON
Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches
liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und
Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder
Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen
zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass
Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,
Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen
abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage
genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum
Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang
der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der
endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima
und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen
Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,
Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,
Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und
Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine
Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,
Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen
bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung
der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die
AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt
Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei
Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der
englischen Übersetzung vor.

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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Unternehmen

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